封装/外壳：PG-TO252-3

安装风格：SMD/SMT

通道数量：1Channel

晶体管极性：N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：200V

Id-连续漏极电流：34A

Rds On-漏源导通电阻：27mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：2V

Vgs - 栅极-源极电压：20V

Qg-栅极电荷：29nC

最小工作温度：-55C

最大工作温度：+175C

配置：Single

Pd-功率耗散：136W

通道模式：Enhancement

高度：2.3mm

长度：6.5mm

晶体管类型：1N-Channel

宽度：6.22mm

正向跨导 - 最小值：28S

下降时间：4ns

上升时间：9ns

典型关闭延迟时间：21ns

典型接通延迟时间：11ns

Packing Type：TAPE & REEL

Moisture Level：1

RDS (on) max：32.0mΩ

IDpuls max：136.0A

VDS max：200.0V

ID max：34.0 A

QG (typ @10V)：22.0 nC

Package：DPAK (TO-252)

Rth：1.1 K/W

Operating Temperature min max：-55.0 °C 175.0 °C

Budgetary Price €€/1k：0.8

Ptot max：136.0W

Polarity：N

Coss：135.0pF

Ciss：1770.0 pF

VGS(th) min max：2.0V 4.0V

VGS(th) (typ) min max：3.0 V 2.0 V 4.0 V

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs